Monte Carlo模擬方法需做以下處理
(1)雖然沉積粒子所釋放的動能和結(jié)合能將導(dǎo)致沉積原子附近局部溫度升高,但整個基體的溫升是極其微小的,因此可認(rèn)為薄膜生長是等溫生長過程。
(2)當(dāng)人射粒子在基體表面上的能量足夠大時,該粒子不但可以在膜層表面進(jìn)行遷移運動,甚至可以在垂直方向進(jìn)行運動,若其下層有空位,還可以穿越到下層填補空位。
(3)在實際過程中,單個粒子的再蒸發(fā)率較高,而一旦1個粒子與其他粒子相遇并結(jié)合成團(tuán)后,其再蒸發(fā)概率將大為降低,因此可以近似地認(rèn)為,只有單個粒子可以被再蒸發(fā)到基體外部,而多個粒子被再蒸發(fā)和分解的可能性很小。
(4)粒子在基體表面上的運動分為3種情況:①吸附:粒子被吸附在基體表面。②擴散:粒子在基體表面上遷移,其遷移方向應(yīng)使系統(tǒng)整體能量降低。擴散包括單個粒子自由擴散和沿簇團(tuán)邊緣擴散。③蒸發(fā):粒子在特定的條件下脫離基體表面。