物質(zhì)在受到光照以后,往往會(huì)引發(fā)某些電性質(zhì)的變化,亦即光電效應(yīng)。光電效應(yīng)主要有光電導(dǎo)效應(yīng)、光生伏*應(yīng)和光電子發(fā)射效應(yīng)3種。最近有人提出GENESIS計(jì)劃(grobal energy network equippers with solar ceils and international superconductor grids),即在世界范圍內(nèi),將太陽(yáng)能電站發(fā)出的電力用超導(dǎo)電纜連接,建設(shè)全球規(guī)模太陽(yáng)能綜合供電網(wǎng)絡(luò)的計(jì)劃。目前,在日本已有新陽(yáng)光計(jì)劃.美國(guó)有Solar 2000計(jì)劃,歐盟(EU)有Sahel計(jì)劃等。世界主要工業(yè)國(guó)家針對(duì)21世紀(jì)能源的綜合需求和地球環(huán)境改善.將進(jìn)一步推進(jìn)包括太陽(yáng)能電池在內(nèi)的太陽(yáng)能利用計(jì)劃。
薄膜開(kāi)關(guān)
一、光電變換薄膜材料的制備原理技術(shù)
當(dāng)金屬或半導(dǎo)體受到光照射時(shí),其表面和體內(nèi)的電子因吸收光子能量而被激發(fā),如果被激發(fā)的電子具有足夠的能量,足以克服表面勢(shì)壘而從表面離開(kāi),產(chǎn)生了光電子發(fā)射效應(yīng)。CIS薄膜太陽(yáng)能電池是以銅銦硒(CIS)為吸收層的薄膜太陽(yáng)能電池。目前,還有在CIS中摻人部分Ga、A1來(lái)代替CIS中的In,從而形成CIGS或CIAS薄膜太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu);而且這一類(lèi)電池被認(rèn)為是未來(lái)最有希望實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化和大規(guī)模應(yīng)用的化合物薄膜太陽(yáng)能電池。美國(guó)的CuInSe2-cd(zn)s薄膜太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率可達(dá)12%,這使CIGS薄膜太陽(yáng)能電池成為高性能薄膜太陽(yáng)能電池的前列。 薄膜開(kāi)關(guān)
主要介紹CIGS薄膜的制備技術(shù)。
①M(fèi)o背電極薄膜的沉積。在電池研究過(guò)程中,包括Mo、Pt、Ni、A1、Au、Cu和Ag在內(nèi)的很多金屬都被試著用來(lái)制作背電極接觸材料。研究發(fā)現(xiàn),除了Mo和Ni之外,在制備CIGS薄膜的過(guò)程中,這些金屬都會(huì)和CIGS產(chǎn)生不同程度的相互擴(kuò)散。擴(kuò)散引起的雜質(zhì)將導(dǎo)致更多復(fù)合中心的產(chǎn)生,最終將導(dǎo)致電池效率的下降。在高溫下Mo具有比Ni更好的穩(wěn)定性,不會(huì)和Cu、In產(chǎn)生互擴(kuò)散,并且具有很低的接觸電阻,所以一直被用做理想的背電極材料。 薄膜開(kāi)關(guān)
Mo的沉積厚度約為0.5-1.5μm。首先在鈉鈣玻璃上采用射頻磁控濺射、直流磁控濺射或真空熱蒸發(fā)的方法沉積厚度約為1.0μm的Mo層。由于直流磁控濺射技術(shù)制備的Mo薄膜的均勻性好,薄膜的沉積速率高,所以,一般在沉積Mo薄膜時(shí)多采用直流磁控濺射技術(shù)來(lái)沉積。薄膜開(kāi)關(guān)
?、贑IGS薄膜的沉積。具有黃銅礦結(jié)構(gòu)的化合物材料CulnSe2(CIS)或CulnGaSe2(CIGS)在可見(jiàn)光范圍內(nèi)的吸收系數(shù)高達(dá)105 cm-1,通過(guò)改變鎵的含量,其禁帶寬度在1.04~1.67 eV范圍內(nèi)可調(diào),可以制備出*禁帶寬度的半導(dǎo)體材料。同時(shí)具有好的穩(wěn)定性,耐空間輻射,屬于*的薄膜太陽(yáng)能材料之一。美國(guó)可再生能源實(shí)驗(yàn)室用Cu、In、Se、Ga四元共蒸發(fā)沉積法制備的薄膜太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)化效率已經(jīng)高達(dá)18.8%。雖然共蒸發(fā)法在小面積電池上取得了*的效率,在大面積制備薄膜太陽(yáng)能電池的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用方面,卻存在其難以克服的障礙。目前采用較多的方法仍然是磁控濺射法?;诖趴貫R射的工藝也有很多,主要有濺射預(yù)制薄膜后硒化方法,預(yù)制薄膜的制備等。基于以上的要求,制備的Culn(CuInGa)預(yù)制薄膜厚度為600~700 nm,Se化后Cu—InGaSe2薄膜的厚度為1.8~2.0μm,整個(gè)厚度會(huì)有2~3倍的提高。 薄膜開(kāi)關(guān)
二、光電變換薄膜材料的應(yīng)用
太陽(yáng)能光電轉(zhuǎn)換裝置就是太陽(yáng)能電池。太陽(yáng)能電池,又稱(chēng)光伏電池。太陽(yáng)能電池發(fā)電的原理是利用光生伏*應(yīng)。當(dāng)太陽(yáng)光源或其他光輻射到太陽(yáng)能電池的pn結(jié)上時(shí),電池就吸收光能,從而產(chǎn)生電子一空穴對(duì)。這些電子一空穴對(duì)在電池的內(nèi)建電場(chǎng),即pn結(jié)電場(chǎng)的作用下,電子和空穴被電場(chǎng)分離,在pn結(jié)的兩側(cè),即電池兩端形成由電子和空穴組成的異性電荷積累,即產(chǎn)生“光生電壓”,這就是所謂的“光生伏*應(yīng)”。如果將多個(gè)pn結(jié)串聯(lián)起來(lái),就可以得到具有一定電壓的太陽(yáng)能電池。太陽(yáng)能電池的直接輸出一般都是12 V(DC)、24 V(DC)、48V(DC)。 薄膜開(kāi)關(guān)
太陽(yáng)能電池是受太陽(yáng)光照射而工作的光電池。在帶有受光面的半導(dǎo)體單晶,或非晶板的表面之下,制作pn結(jié),其P區(qū)和n區(qū)分別與外電路相連接,在太陽(yáng)光照射下。產(chǎn)生從P到n的電流。為使太陽(yáng)能利用更快普及,需要進(jìn)一步降低太陽(yáng)能電池,特別是更具普及意義的a-Si太陽(yáng)能電池的價(jià)格。為此,需要在a-Si太陽(yáng)能電池制造工藝的簡(jiǎn)化、低能耗、無(wú)公害、省工時(shí)、省原材料、輔助材料(例如基板)價(jià)格降低等方面不斷改善。與此同時(shí),還要保證電池特性不斷提高。目前,Si系太陽(yáng)能電池的效率已達(dá)12%以上,在成膜裝置方式方面,已普遍采用一室對(duì)應(yīng)一個(gè)處理工序的多室連續(xù)方式,以及為提高膜層質(zhì)量的超高真空連續(xù)分離成膜裝置。薄膜開(kāi)關(guān)
從材料方面講,寬能隙P型a-SiC窗口材料已獲得廣泛應(yīng)用,為進(jìn)一步提高太陽(yáng)能電池的效率,正在開(kāi)發(fā)新的P型層材料。此外,超品格材料以及微品材料也有采用。關(guān)于電池的結(jié)構(gòu),*發(fā)表的多為多層結(jié)構(gòu)(多能隙結(jié)構(gòu))。而且,多品硅及CulnSe2等品體層與a-Si相組合的結(jié)構(gòu)也在研究開(kāi)發(fā)之中。 薄膜開(kāi)關(guān)
窄能隙a-SiGe材料由于采用傳統(tǒng)的含氫系,因此特性不夠理想。隨著制膜技術(shù)的改進(jìn)和發(fā)展,以及氟系a-SiGe的開(kāi)發(fā),已經(jīng)獲得光導(dǎo)電特性?xún)?yōu)良的膜層。 薄膜開(kāi)關(guān)
三、結(jié)論
在成膜方法方面,已普遍采用各種等離子體控制方式,以及利用光、ECR等的CVD法等。總的說(shuō)來(lái),隨著工藝進(jìn)展,利用高速成膜法,已能獲得高品質(zhì)膜層。以上通過(guò)對(duì)光電變換薄膜材料制備原理技術(shù)及應(yīng)用進(jìn)行探討,期望能夠?qū)Ξ?dāng)前光電變換薄膜材料的發(fā)展有所借鑒。薄膜開(kāi)關(guān)